Anläggningen syftar till att utöka Samsungs ledarskap inom avancerad halvledarteknik. Bolaget planerar att investera cirka 15 miljarder dollar fram till 2028 i komplexet, enligt ett pressmeddelande.

Komplexet har en yta om 109 000 kvadratmeter och ska leda avancerad forskning för nästa generations enheter och processer för minnes- och systemhalvledare. Utveckling av innovativ ny teknik utifrån en långsiktig färdplan ska också ske.

”Vårt nya toppmoderna FoU-komplex kommer att bli ett nav för innovation där de bästa forskartalangerna från hela världen kan komma och växa tillsammans”, säger en Samsung-chef.